Descripción
Especificaciones
- La funcionalidad y las operaciones cumplen con la hoja de datos de la SDRAM DDR4
- 16 bancos internos
- Se aplica la agrupación de bancos, y la latencia de CAS a CAS (tCCD_L, tCCD_S) para los accesos a los bancos del mismo o de diferentes grupos de bancos están disponibles
- Tasas de transferencia de datos: PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
- Strobe de datos diferencial bidireccional
- Pre-fetch de 8 bits
- Interruptor de longitud de ráfaga (BL) sobre la marcha BL8 o BC4 (Burst Chop)
- Soporta corrección y detección de errores ECC
- Terminación en el chip (ODT)
- Sensor de temperatura con SPD integrado
- Este producto cumple con la directiva RoHS.
- Soporta direccionamiento por DRAM
- Se dispone de generación de nivel Vref DQ interno
- Soporta CRC de escritura en todos los grados de velocidad
- Admite el modo de paridad CA (paridad de comandos/direcciones)
- Cumple con la directiva RoHS y es libre de halógenos
Fuente de alimentación:
- VDD = 1,2V
- VDDQ = 1,2V
- VPP = 2,5V
- VDDSPD = 2,20V a 3,60V